磁阻接近開關(guān)基于insb磁阻效應(yīng)原理。銻化銦磁阻的主要成分是電極、引腳、磁電阻元件mr1和mr2（電阻大致相等）、永磁體、絕緣基板和金屬外殼（屏蔽外部干擾和保護磁電阻元件）。內(nèi)部填充環(huán)氧樹脂，三個插腳分別與電源、地線、輸出端連接。永磁體為兩個磁阻元件提供偏置磁場，使磁敏電阻的工作特性移到電阻-磁場曲線的線性范圍內(nèi)，提高磁敏電阻的靈敏度。由于偏置磁場使磁敏電阻在相同的磁場環(huán)境下，當非鐵磁性物體接近時，mr1和mr2的電阻值基本相同。當鐵磁性物體通過磁阻時，永磁體的磁場分布發(fā)生變化。當磁電阻元件mr1通過時，通過mr1的磁感應(yīng)強度增大，而通過mr2的磁感應(yīng)強度減小，因此mr1的電阻值增大，mr2的電阻值減小。相反，當鐵磁性物體通過mr2時，mr2的電阻值增大，mr1的電阻值減小。在直流供電的情況下，兩個磁阻元件的電阻值的變化會引起磁阻輸出電壓的變化。