高過(guò)載低量程測(cè)試傳感器的選擇比較

作者：德寶傳感器人氣：

一、前言

動(dòng)態(tài)測(cè)試領(lǐng)域中傳感器的高過(guò)載低量程一直是未能徹底解決的問(wèn)題，這主要是因?yàn)閭鹘y(tǒng)工藝傳感器固有的特性或工藝不能滿足這一特定環(huán)境的要求。傳統(tǒng)的壓電傳感器由于輸出阻抗高，低頻特性較差，在高過(guò)載后常發(fā)生零漂現(xiàn)象，使得測(cè)量數(shù)據(jù)不能真實(shí)再現(xiàn)被測(cè)量的動(dòng)態(tài)過(guò)程，而傳統(tǒng)工藝的壓阻和電容傳感器雖然在頻響方面能滿足測(cè)試要求，低頻漂移較小，但由于制造工藝的原因，也不能較好解決這一測(cè)試問(wèn)題。

現(xiàn)在，MEMS技術(shù)的發(fā)展為傳感器技術(shù)的發(fā)展提供了一個(gè)機(jī)會(huì)，MEMS加速度傳感器尺寸小、質(zhì)量輕，抗過(guò)載能力高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快，因此，在動(dòng)態(tài)測(cè)試領(lǐng)域?qū)⒂袕V闊前景。

二、MEMS傳感器的原理、結(jié)構(gòu)、工藝及特點(diǎn)

三、MEMS加速度計(jì)主要由一個(gè)懸臂梁構(gòu)成，梁的一端固定，另一端懸掛一個(gè)能感應(yīng)由加速度產(chǎn)生的作用力的質(zhì)量塊，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。目前，已有壓阻式、電容式、隧道式、共振式、熱形式等幾種類型

[1]本文將主要介紹壓阻式加速度傳感器。

壓阻式加速度傳感器一般為三層結(jié)構(gòu)：頂層和底座通常為玻璃或硅片，起密封和過(guò)載保護(hù)作用，底座上還有前置放大和各種補(bǔ)償電路

[2]中間層是用體硅加工工藝加工出的懸臂和質(zhì)量塊，并且，在懸臂上用離子注入工藝制作出應(yīng)變電阻器，當(dāng)質(zhì)量塊受到力運(yùn)動(dòng)時(shí)，電阻器的阻值變化，通過(guò)惠斯通電橋檢出電阻變化量，以此求得加速度值。

制作傳感器的微機(jī)械加工技術(shù)可分為體微機(jī)械加工和表面微機(jī)械加工兩種。體微機(jī)械加工技術(shù)是對(duì)單晶硅或有表膜的體硅進(jìn)行腐蝕，從而得到預(yù)期微結(jié)構(gòu)的一種加工技術(shù)；而表面微機(jī)械加工技術(shù)則是對(duì)沉積或生長(zhǎng)在基片上的多層膜進(jìn)行加工，得到各種微機(jī)械結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)。體微機(jī)械加工技術(shù)中關(guān)鍵的步驟是腐蝕工藝，分為濕法腐蝕和干法腐蝕兩種，目前被廣泛使用的是濕法腐蝕工藝，其包括各向同性與各向異性腐蝕。各向同性腐蝕是指在晶片各個(gè)方向上腐蝕速度相等，可以制作出任意橫向幾何形狀微細(xì)圖形結(jié)構(gòu)的方法，而各向異性腐蝕則是與被腐蝕晶片的結(jié)構(gòu)方向有關(guān)的腐蝕方法，利用掩蔽圖形與不同晶面的對(duì)準(zhǔn)角關(guān)系，可以制作出深度達(dá)幾十微米的不同種三維空間結(jié)構(gòu)，如V型槽、懸臂梁、懸臺(tái)結(jié)構(gòu)等。

MEMS傳感器的特點(diǎn)是有質(zhì)量塊位移限位結(jié)構(gòu)，使質(zhì)量塊在高過(guò)載激勵(lì)下的位移被限制在安全的形變范圍內(nèi)。此外，傳感器和信號(hào)處理電路系統(tǒng)還都采用抗高過(guò)載封裝技術(shù)封裝在同一個(gè)硅片上。

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高過(guò)載低量程測(cè)試傳感器的選擇比較

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